NST3906DXV6T1备选型号: BC858CDXV6T1G
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- RoHS状态
- 无铅
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- 触点镀层
- 频率
- 基本部件号
- 功率耗散
- 最大集极截止电流
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装SOT-563, SOT-666YES6SILICON40V-400mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)-40V500mWFLAT260-200mA未说明6不合格PNPDualAMPLIFIER250MHz2 PNP (Dual)400mV200mA100 @ 10mA 1V400mV @ 5mA, 50mA250MHz-40V5V300ns70nsNon-RoHS Compliant无铅-----------
- ON Semi BC858CDXV6T1G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 30 V; 6-Pin SOT-563ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)表面贴装SOT-563, SOT-666YES6SILICON30V-650mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99--30V500mWFLAT260-100mA406-PNPDualAMPLIFIER100MHz2 PNP (Dual)30V100mA420 @ 2mA 5V650mV @ 5mA, 100mA100MHz30V5V--ROHS3 Compliant无铅17 WeeksTin100MHzBC858CDXV6500mW15nA ICBO30V600μm1.7mm1.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-563, SOT-666 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | 对比 | |
| EMT1DXV6T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-563, SOT-666 | TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563 | 对比 | |
| EMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-563, SOT-666 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | 对比 |


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