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首页 全部分类 NST847BDP6T5G vs NSBC123JDP6T5G

NST847BDP6T5G备选型号: NSBC123JDP6T5G

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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    NST847BDP6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    SILICON
    45V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    420mW
    FLAT
    100MHz
    6
    NPN
    Dual
    420mW
    350mW
    AMPLIFIER
    100MHz
    2 NPN (Dual)
    45V
    100mA
    200 @ 2mA 5V
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    100MHz
    45V
    50V
    6V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSBC123JDP6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SOT-963
    YES
    6
    -
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    339mW
    FLAT
    -
    6
    NPN
    Dual
    -
    -
    SWITCHING
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150°C
    -55°C
    NSBC1*
    2.2k Ω
    47k Ω
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