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首页 全部分类 NSV12200LT1G vs 2SC5232BTE85LF

NSV12200LT1G备选型号: 2SC5232BTE85LF

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  • 无铅
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  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    NSV12200LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 12V 2A SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    12V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    540mW
    540mW
    PNP
    180mV
    2A
    250 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    180mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5232BTE85LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - BJT Transistor Lo Freq NPN 0.5A 12V
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    12V
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2014
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150mW
    150mW
    NPN
    250mV
    500mA
    500 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    -
    符合RoHS标准
    -
    110mV
    Single
    130MHz
    NPN
    80MHz
    12V
    15V
    5V
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