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NSVMMUN2113LT3G备选型号: NSVMMUN2235LT1G

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  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 最大集极截止电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • ON Semiconductor
    NSVMMUN2113LT3G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    AEC-Q101
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    246mW
    SWITCHING
    PNP
    PNP - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    TO-236AB
    250mV @ 300μA, 10mA
    47 k Ω
    47 k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NSVMMUN2235LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
    ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    246mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    -
    250mV @ 1mA, 10mA
    2.2 k Ω
    47 k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Automotive, AEC-Q101
    未说明
    未说明
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