NTB5605PG备选型号: IRF9Z34NSTRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON18.5A Ta-55°C~175°C TJTube2005e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-60V鸥翼260-18.5A403R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET88WDRAINP-ChannelSWITCHING140m Ω @ 8.5A, 5V2V @ 250μA1190pF @ 25V22nC @ 5V122ns60V±20V75 ns18.5A20V17A0.14Ohm-60V55A符合RoHS标准无铅----------------
- MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON19A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)1997e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-55V鸥翼260-19A30-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET68WDRAINP-ChannelSWITCHING100m Ω @ 10A, 10V4V @ 250μA620pF @ 25V35nC @ 10V55ns-±20V41 ns-19A20V---55V68AROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksHEXFET®100mOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY113 ns-2V55V82 ns175°C-4 V4.83mm10.668mm9.65mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|



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