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NTB6411ANT4G备选型号: IRF8010STRLPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 系列
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)Tin表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON77A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99鸥翼3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET217WDRAIN16 nsN-Channel14m Ω @ 72A, 10V4V @ 250μA无卤素3700pF @ 25V100nC @ 10V144ns100V±20V157 ns72A20V77A285A470 mJ4.83mm10.29mm9.65mm无符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK-Tin表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2003e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET260WDRAIN15 nsN-Channel15m Ω @ 45A, 10V4V @ 250μA-3830pF @ 25V120nC @ 10V130ns-±20V120 ns80A20V75A--4.826mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks表面贴装HEXFET®SMD/SMT15mOhm100V26080A30SWITCHING4V100V100V4 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | INFINEON IRFS4410TRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VNew | 对比 |
| NTB6410ANT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH | 对比 |
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