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NTB6413ANT4G备选型号: STB40NF10T4
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MOACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 WeeksTin表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON42A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)1999e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9928MOhm鸥翼260403R-PSSO-G2Single增强型MOSFET136WDRAIN13 nsN-Channel28m Ω @ 42A, 10V4V @ 250μA1800pF @ 25V51nC @ 10V84ns±20V71 ns42A20V100V200 mJ4.83mm10.29mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅-----------
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R---表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON50A Tc-50°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3-Obsolete1 (Unlimited)2EAR9928mOhm鸥翼245303R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150WDRAIN28 nsN-Channel28m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA1780pF @ 25V80nC @ 10V63ns±20V28 ns50A20V100V-4.6mm10.75mm10.4mm无ROHS3 Compliant无铅表面贴装STripFET™ IIMatte Tin (Sn) - annealed100V50ASTB40NSWITCHING2.8V40A200A无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF540ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IRF540ZSPBF N-channel MOSFET Transistor; 36 A; 100 V; 3-Pin D2PAK | 对比 |
| IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | 对比 |
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