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NTB65N02RT4G备选型号: NTB75N03R
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- Reach合规守则
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON7.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)24V鸥翼26065A403R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET1.86WDRAINN-ChannelSWITCHING8.2m Ω @ 30A, 10V2V @ 250μA1330pF @ 20V9.5nC @ 4.5V53ns25V±20V10 ns7.6A20V0.0105Ohm24V160A60 mJ符合RoHS标准无铅---
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON9.7A Ta 75A Tc-55°C~150°C TJTube2006e0-Obsolete1 (Unlimited)2-Tin/Lead (Sn/Pb)25V鸥翼23575A未说明3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET74.4WDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V--±20V-75A20V-25V225A71.7 mJNon-RoHS Compliant含铅8541.29.00.95not_compliant9.7A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3709ZSTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | 对比 |
| NTB75N03RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
| NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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