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首页 全部分类 NTBV5605T4G vs FQB20N06LTM

NTBV5605T4G备选型号: FQB20N06LTM

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    NTBV5605T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
    LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
    28 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    SILICON
    18.5A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12.5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 8.5A, 5V
    2V @ 250μA
    1190pF @ 25V
    22nC @ 5V
    122ns
    60V
    ±20V
    75 ns
    18.5A
    20V
    0.14Ohm
    55A
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB20N06LTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    -
    -
    21A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    55mOhm @ 10.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    630pF @ 25V
    13nC @ 5V
    165ns
    60V
    ±20V
    70 ns
    21A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    D2PAK (TO-263AB)
    QFET®
    175°C
    -55°C
    60V
    21A
    3.75W
    60V
    630pF
    55mOhm
    55 mΩ
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