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NTD32N06-1G备选型号: IRFU1205PBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON32A Ta-55°C~175°C TJTube2007e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.9560V26032A未说明3不合格Single增强型MOSFET93.75WDRAINN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 16A, 10V4V @ 250μA1725pF @ 25V60nC @ 10V84ns±20V93 ns32A20V0.026Ohm60V90A符合RoHS标准无铅-------------
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON44A Tc-55°C~175°C TJTube2004e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-55V26044A30---增强型MOSFET69WDRAINN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 26A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V65nC @ 10V69ns±20V60 ns44A20V-55V160AROHS3 Compliant无铅14 WeeksHEXFET®27mOhmAVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCESINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE7.3 ns20A210 mJ6.22mm6.7056mm2.3876mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD32N06L-001 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | 对比 |
| NTD24N06-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 24A IPAK | 对比 |
| NTD32N06L-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | 对比 |
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