NTD32N06L-1G备选型号: NTD32N06-1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    SILICON
    32A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    8541.29.00.95
    60V
    未说明
    32A
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    93.75W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 16A, 5V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    50nC @ 5V
    221ns
    ±20V
    128 ns
    32A
    20V
    0.028Ohm
    60V
    90A
    313 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    SILICON
    32A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    8541.29.00.95
    60V
    260
    32A
    未说明
    3
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    93.75W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    1725pF @ 25V
    60nC @ 10V
    84ns
    ±20V
    93 ns
    32A
    20V
    0.026Ohm
    60V
    90A
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    EAR99
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