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NTD4806NA-1G备选型号: NTD85N02R-001
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
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- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak通孔31Tube2008Obsolete1 (Unlimited)175°C-55°C2.14WSingle2.14WN-Channel6m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2142pF @ 12V23nC @ 4.5V23.8ns4.7 ns14A20V30V符合RoHS标准---------------------- MOSFET N-CH 24V 12A IPAK通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔312A Ta 85A TcTube2007Obsolete1 (Unlimited)---Single2.4WN-Channel5.2m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA2050pF @ 20V17.7nC @ 5V77ns12 ns85A20V24VNon-RoHS CompliantSILICON-55°C~150°C TJe03EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)24V240not_compliant85A303不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING±20V0.0052Ohm192A85 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4809NA-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | 对比 |
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