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首页 全部分类 NTD4815NH-1G vs NTD60N02R-1G

NTD4815NH-1G备选型号: NTD60N02R-1G

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTD4815NH-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    4
    SILICON
    6.9A Ta 35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    4
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.92W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    845pF @ 12V
    6.8nC @ 4.5V
    17.6ns
    ±20V
    17.6 ns
    35A
    20V
    6.9A
    30V
    87A
    35.6 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD60N02R-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    4
    SILICON
    8.5A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    4
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1330pF @ 20V
    14nC @ 4.5V
    33ns
    ±20V
    33 ns
    32A
    20V
    -
    25V
    -
    60 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    25V
    62A
    0.0105Ohm
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