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NTD4854N-1G备选型号: IRLU8743PBF
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA4SILICON15.7A Ta 128A Tc-55°C~175°C TJTube2008e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明未说明4R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET2.5WDRAINN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA4600pF @ 12V49.2nC @ 4.5V17.6ns±20V8.5 ns128A20V15.7A25V225A338 mJ符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON160A Tc-55°C~175°C TJTube2007e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030---Single增强型MOSFET135WDRAINN-ChannelSWITCHING3.1m Ω @ 25A, 10V2.35V @ 100μA4880pF @ 15V59nC @ 4.5V35ns±20V17 ns160A20V-30V640A250 mJROHS3 Compliant无铅12 WeeksHEXFET®3.1MOhm19 ns1.9V1.9 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLU7843PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK | 对比 |
| NTD4855N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK | 对比 |
| NTD4804NA-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK | 对比 |
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