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首页 全部分类 NTD95N02RG vs IPD30N03S2L07ATMA1

NTD95N02RG备选型号: IPD30N03S2L07ATMA1

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  • 额定电流
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 参考标准
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTD95N02RG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    12A Ta 32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    24V
    鸥翼
    260
    95A
    40
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    86W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    2400pF @ 20V
    21nC @ 4.5V
    82ns
    ±20V
    70 ns
    32A
    20V
    0.005Ohm
    24V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD30N03S2L07ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    -
    6.7m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 85μA
    1900pF @ 25V
    68nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    16 ns
    30A
    20V
    0.0098Ohm
    -
    符合RoHS标准
    -
    OptiMOS™
    超低电阻
    SINGLE
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    10 ns
    30V
    120A
    250 mJ
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