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首页 全部分类 NTDV5805NT4G vs IPD50N04S408ATMA1

NTDV5805NT4G备选型号: IPD50N04S408ATMA1

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  • Reach合规守则
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  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 箱体转运
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTDV5805NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    DPAK
    51A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    47W
    N-Channel
    9.5mOhm @ 15A, 10V
    3.5V @ 250μA
    1725pF @ 25V
    80nC @ 10V
    40V
    ±20V
    51A
    1.725nF
    9.5 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S408ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin TO-252 T/R
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    46W Tc
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    N-Channel
    7.9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 17μA
    1780pF @ 6V
    22.4nC @ 10V
    40V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    YES
    SILICON
    OptiMOS™
    -55°C~175°C TJ
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    50A
    0.0079Ohm
    200A
    40V
    55 mJ
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