您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTF6P02T3G vs NVF6P02T3G

NTF6P02T3G备选型号: NVF6P02T3G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTF6P02T3G
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V -6A P-Channel
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    4
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    44MOhm
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -6A
    40
    4
    Single
    增强型MOSFET
    8.3W
    DRAIN
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1200pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    25ns
    20V
    ±8V
    50 ns
    10A
    -700mV
    8V
    -20V
    35A
    -20V
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVF6P02T3G
    ON Semiconductor
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    4
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    4
    Single
    增强型MOSFET
    8.3W
    DRAIN
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    1200pF @ 16V
    20nC @ 4.5V
    30ns
    20V
    ±8V
    60 ns
    10A
    -
    8V
    -25V
    35A
    -
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Automotive, AEC-Q101
    0.05Ohm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比