NTHD4401PT1备选型号: MCH6660-TL-W
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 端子位置
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005e0Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)-20V1.1WC 弯管240not_compliant-2.1A30NTHD4401P8不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET1.1W2 P-Channel (Dual)SWITCHING155m Ω @ 2.1A, 4.5V1.2V @ 250μA300pF @ 10V6nC @ 4.5V13ns20V13 ns2.1A12V0.155Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门50 pFNon-RoHS Compliant含铅-------
- MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6表面贴装表面贴装6-SMD, Flat Leads6SILICON2A 1.5A150°C TJTape & Reel (TR)-e6活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)-800mW-未说明--未说明---SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N and P-ChannelSWITCHING136m Ω @ 1A, 4.5V1.3V @ 1mA128pF @ 10V1.8nC @ 4.5V-20V-1.5A10V--METAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 1.8V Drive-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)7 WeeksyesDUALN-CHANNEL AND P-CHANNEL2A20V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH3476-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 |



哦! 它是空的。