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首页 全部分类 NTHD4502NT1G vs MCH6331-TL-W

NTHD4502NT1G备选型号: MCH6331-TL-W

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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 底架
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTHD4502NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)
    YES
    8-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    8
    4.535924g
    SILICON
    14.9 ns
    2005
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    640mW
    C 弯管
    260
    2.9A
    40
    NTHD4502N
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.13W
    7.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    85m Ω @ 2.9A, 10V
    3V @ 250μA
    140pF @ 15V
    7nC @ 10V
    5.4ns
    5.4 ns
    3.9A
    20V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.7mm
    3.1mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6331-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin SC-88FL T/R
    4 Weeks
    -
    -
    6-SMD, Flat Leads
    表面贴装
    88
    -
    -
    26 ns
    2012
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5.4 ns
    P-Channel
    -
    98m Ω @ 1.5A, 10V
    2.6V @ 1mA
    250pF @ 10V
    5nC @ 10V
    12ns
    19 ns
    3.5A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    无铅
    表面贴装
    30V
    ±20V
    -2.6V
    无SVHC
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