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首页 全部分类 NTJS3157NT1G vs BSD840NH6327XTSA1

NTJS3157NT1G备选型号: BSD840NH6327XTSA1

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  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    NTJS3157NT1G
    ON Semiconductor
    NTJS3157NT1G N-channel MOSFET Transistor; 4 A; 20 V; 6-Pin SC-88
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    45MOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    3.2A
    40
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    500pF @ 10V
    15nC @ 4.5V
    12ns
    ±8V
    11 ns
    4mA
    8V
    20V
    400 mV
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD840NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
    -
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    6
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    1.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    400m Ω @ 880mA, 2.5V
    750mV @ 1.6μA
    78pF @ 10V
    0.26nC @ 2.5V
    2.2ns
    -
    -
    880mA
    8V
    20V
    -
    1mm
    2mm
    1.25mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    OptiMOS™
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    500mW
    BSD840
    2
    无卤素
    550mV
    20V
    3.5A
    0.4Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
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