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首页 全部分类 NTLJF3118NTAG vs DMN2065UW-7

NTLJF3118NTAG备选型号: DMN2065UW-7

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTLJF3118NTAG
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-Pin WDFN T/R
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    C 弯管
    265
    unknown
    40
    6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    700mW
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.8A, 4.5V
    1V @ 250μA
    271pF @ 10V
    3.7nC @ 4.5V
    4.7ns
    ±12V
    4.7 ns
    2.6A
    12V
    20V
    18A
    Schottky Diode (Isolated)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2065UW-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    430mW
    N-Channel
    SWITCHING
    56m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    400pF @ 10V
    5.4nC @ 4.5V
    9.7ns
    ±12V
    7.2 ns
    2.8A
    12V
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6.010099mg
    HIGH RELIABILITY
    1
    3.5 ns
    1V
    2.2A
    0.065Ohm
    150°C
    1.1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
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