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首页 全部分类 NTLJS1102PTAG vs NTGS1135PT1G

NTLJS1102PTAG备选型号: NTGS1135PT1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NTLJS1102PTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    36m Ω @ 6.2A, 4.5V
    720mV @ 250μA
    1585pF @ 4V
    25nC @ 4.5V
    41ns
    8V
    ±6V
    70 ns
    3.7A
    6V
    -8V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGS1135PT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    4.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    6
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    1.6W
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 4.6A, 4.5V
    850mV @ 250μA
    2200pF @ 6V
    21nC @ 4.5V
    16ns
    8V
    ±6V
    3.9 ns
    4.6A
    6V
    -8V
    符合RoHS标准
    无铅
    超低电阻
    Single
    0.031Ohm
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