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首页 全部分类 NTMD2C02R2SG vs STS5DNF20V

NTMD2C02R2SG备选型号: STS5DNF20V

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 极性/通道类型
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
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  • 无铅代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NTMD2C02R2SG
    ON Semiconductor
    MOSFET COMP20V 2A .043R TR
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    5.2A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    20V
    2W
    DUAL
    鸥翼
    260
    5.2A
    40
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    43m Ω @ 4A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1100pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    40ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    35 ns
    3.4A
    12V
    0.043Ohm
    20V
    48A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS5DNF20V
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 20 Volt 5 Amp
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    20V
    2W
    -
    鸥翼
    260
    5A
    30
    8
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    40m Ω @ 2.5A, 4.5V
    600mV @ 250μA
    460pF @ 25V
    11.5nC @ 4.5V
    33ns
    -
    10 ns
    5A
    12V
    -
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8
    STripFET™ II
    yes
    40mOhm
    STS5D
    7 ns
    2.7V
    5A
    1.65mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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