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首页 全部分类 NTMFS4C59NT1G vs DMT3006LFG-7

NTMFS4C59NT1G备选型号: DMT3006LFG-7

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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NTMFS4C59NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    9A Ta 52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    5.8m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    1252pF @ 15V
    22.2nC @ 10V
    30V
    ±20V
    52A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • Diodes Incorporated
    DMT3006LFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    16A Ta 55.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    6m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1320pF @ 15V
    22.6nC @ 10V
    30V
    ±20V
    55.6A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    16A
    0.01Ohm
    30V
    31 mJ
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