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首页 全部分类 NTQD6866R2 vs FDW2501NZ

NTQD6866R2备选型号: FDW2501NZ

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NTQD6866R2
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    20V
    940mW
    鸥翼
    240
    not_compliant
    6.9A
    30
    8
    不合格
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    32m Ω @ 6.9A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1400pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    45ns
    90 ns
    4.7A
    12V
    0.032Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    175 pF
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDW2501NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
    8
    -
    5.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    20V
    600mW
    -
    -
    -
    6A
    -
    -
    -
    -
    -
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    -
    18m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1286pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    -
    -
    5.5mA
    12V
    -
    20V
    -
    逻辑电平门
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    PowerTrench®
    10 ns
    1mm
    3mm
    4.4mm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDW9926A FDW9926A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8TSSOP 对比