您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 NTTFS4937NTWG vs IRFH5304TRPBF

NTTFS4937NTWG备选型号: IRFH5304TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTTFS4937NTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    11A Ta 75A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    8
    S-XDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2540pF @ 15V
    35.5nC @ 10V
    21.2ns
    30V
    ±20V
    7.4 ns
    75A
    20V
    11A
    0.007Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5304TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    -
    8
    SILICON
    22A Ta 79A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    -
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 47A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2360pF @ 10V
    41nC @ 10V
    25ns
    -
    ±20V
    6.6 ns
    79A
    20V
    22A
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    HEXFET®
    4.5MOhm
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    3.6W
    30V
    320A
    46 mJ
    2.35 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH7934TRPBF IRFH7934TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 对比
NTD4904N-35G NTD4904N-35G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Stub Leads, IPak MOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm 对比
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 对比