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首页 全部分类 NTTFS4C13NTAG vs BSO119N03S

NTTFS4C13NTAG备选型号: BSO119N03S

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NTTFS4C13NTAG
    ON Semiconductor
    Single N-Channel Power MOSFET 30V, 38A, 9.4mO
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    7.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    无卤素
    770pF @ 15V
    7.8nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    7.2A
    20V
    0.0094Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSO119N03S
    Infineon Technologies
    MOSFET, N, 30V, SO-8
    -
    -
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    8
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    11.9m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 25μA
    -
    1730pF @ 15V
    13nC @ 5V
    -
    ±20V
    9A
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    OptiMOS™
    SMD/SMT
    16.3mOhm
    哑光锡
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    30V
    260
    9A
    40
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1.56W
    3.8ns
    3.8 ns
    1.6V
    MS-012AA
    9A
    30V
    30V
    1.6 V
    93 pF
    无SVHC
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