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首页 全部分类 NVB6411ANT4G vs STB76NF75

NVB6411ANT4G备选型号: STB76NF75

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  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    NVB6411ANT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    25 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    SILICON
    77A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    3
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    14m Ω @ 72A, 10V
    4V @ 250μA
    无卤素
    3700pF @ 25V
    100nC @ 10V
    144ns
    100V
    ±20V
    157 ns
    77A
    20V
    0.014Ohm
    285A
    100V
    470 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB76NF75
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    4
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    3700pF @ 25V
    160nC @ 10V
    100ns
    -
    ±20V
    30 ns
    80A
    20V
    0.011Ohm
    -
    -
    700 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    STripFET™ II
    245
    STB76N
    300W
    SWITCHING
    75V
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IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK 对比