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NVD4856NT4G备选型号: STD75N3LLH6
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
FILTER UNIT, 80MM - More DetailsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)32 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES43.949996gSILICON13.3A Ta 89A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼4AEC-Q101R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA2241pF @ 12V27nC @ 4.5V±20V89A20V13.3A0.0068Ohm25V179A180.5 mJ无ROHS3 Compliant无铅----------------
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R--表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3-SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed鸥翼3-R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 37.5A, 10V2.5V @ 250μA1690pF @ 25V17nC @ 4.5V±20V75A20V-0.008Ohm---无ROHS3 Compliant-表面贴装DeepGATE™, STripFET™ VISINGLE260STD75NSINGLE WITH BUILT-IN DIODE60W9.5 ns30ns30V12 ns1.7V2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD78N03T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK | 对比 |
 | NTD4856N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK | 对比 |
 | NTD4856N-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK | 对比 |
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