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首页 全部分类 NVGS3130NT1G vs FDC638APZ

NVGS3130NT1G备选型号: FDC638APZ

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  • 漏源击穿电压
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  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVGS3130NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    4.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    N-Channel
    24m Ω @ 5.6A, 4.5V
    1.4V @ 250μA
    935pF @ 16V
    20.3nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    4.2A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC638APZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    P-Channel
    43m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    -4.5A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6
    36mg
    SILICON
    PowerTrench®
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    43MOhm
    -12V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -4.5A
    未说明
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    20ns
    20 ns
    -800mV
    12V
    -20V
    20A
    -20V
    150°C
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
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