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首页 全部分类 NVMFS5C456NLWFT1G vs BSZ034N04LSATMA1

NVMFS5C456NLWFT1G备选型号: BSZ034N04LSATMA1

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  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C456NLWFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V SO8FL
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    3.7m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1600pF @ 25V
    18nC @ 10V
    40V
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ034N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    19A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    N-Channel
    3.4m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1800pF @ 20V
    25nC @ 10V
    -
    ±20V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    3
    EAR99
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    4ns
    40A
    20V
    40V
    19A
    0.0046Ohm
    160A
    70 mJ
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