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NVMFS6B03NT1G备选型号: IRLS4030TRLPBF
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
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- 电阻
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
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- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
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MOSFET N-CH 100V 132A SO8FLACTIVE (Last Updated: 1 week ago)32 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN810V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)not_compliantN-Channel4.8m Ω @ 20A, 10V4V @ 250μA4200pF @ 50V58nC @ 10V100V±16VROHS3 Compliant无铅-----------------------
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e3-活跃1 (Unlimited)Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-N-Channel4.3m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11360pF @ 50V130nC @ 4.5V-±16VROHS3 Compliant无铅SILICONHEXFET®2EAR993.9MOhm鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET370W74 nsSWITCHING330ns170 ns180A16V100V2.5 V4.572mm10.668mm9.65mmUnknown无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS6B03NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B03NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
 | BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | 对比 |
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