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NVMFS6B14NLT3G备选型号: BSC098N10NS5ATMA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- ECCN 代码
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 100V 11A 5DFNACTIVE (Last Updated: 1 week ago)38 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN, 5 LeadsSILICON11A Ta 55A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3yes活跃1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel13m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA1680pF @ 25V8nC @ 4.5V100V±16V55A0.019Ohm140A100V29 mJNon-RoHS Compliant无铅-------------
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON-26 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFNSILICON60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3-活跃1 (Unlimited)5Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel9.8m Ω @ 30A, 10V3.8V @ 36μA2100pF @ 50V28nC @ 10V-±20V11A-240A-30 mJROHS3 Compliant含铅8EAR99169W10 nsSWITCHING无卤素5ns20V100V100V150°C1.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
 | NDPL070N10BG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V | 对比 |
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