NVTFS4C05NTAG备选型号: FDMS7660
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 系列
- 电阻
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R18 WeeksYES表面贴装8-PowerWDFN8SILICON3.2W Ta 68W Tc2.2V @ 250μA2013-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET3.2WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 30A, 10V无卤素1988pF @ 15V31nC @ 10V25ns30V±20V5 ns22A20V433A30V无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET 30/20V Nch Power Trench18 Weeks-表面贴装8-PowerTDFN8SILICON2.5W Ta 78W Tc3V @ 250μA2007-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3yesACTIVE (Last Updated: 2 days ago)1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUAL-R-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING2.8m Ω @ 25A, 10V-5565pF @ 15V84nC @ 10V9ns-±20V7 ns25A20V--无ROHS3 Compliant无铅表面贴装68.1mgPowerTrench®2.8MOhm1.9VMO-240AA30V1.9 V6mm1.05mm5mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R | 对比 | |
![]() | BSC030N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON | 对比 |
![]() | IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 对比 |




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