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首页 全部分类 NVTFS4C06NTAG vs BSC030N03LSGATMA1

NVTFS4C06NTAG备选型号: BSC030N03LSGATMA1

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  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C06NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    4.2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1683pF @ 15V
    26nC @ 10V
    30V
    ±20V
    21A
    20V
    71A
    0.0061Ohm
    367A
    30V
    34 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC030N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    23A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    3m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    4300pF @ 15V
    55nC @ 10V
    -
    ±20V
    23A
    20V
    -
    0.0047Ohm
    400A
    -
    75 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    OptiMOS™
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    8
    69W
    7.3 ns
    SWITCHING
    无卤素
    5.2ns
    4.8 ns
    30V
    无
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