NVTFS4C13NTWG备选型号: IRF9321TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 电阻
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin WDFN EP T/RACTIVE (Last Updated: 1 week ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8SILICON14A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATnot_compliantS-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET26WDRAINN-ChannelSWITCHING9.4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 250μA770pF @ 15V15.2nC @ 10V30V±20V14A20V40A0.0094Ohm30VROHS3 Compliant无铅---------------
- MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC-12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON15A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼--SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W-P-ChannelSWITCHING7.2m Ω @ 15A, 10V2.4V @ 50μA2590pF @ 25V98nC @ 10V30V±20V-15A20V---ROHS3 Compliant无铅HEXFET®7.2MOhm121 ns79ns145 ns-1.8V-30V150°C-1.8 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSO301SPNTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin DSO | 对比 |
![]() | IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |





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