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NVTFS5116PLTWG备选型号: DMN6040SSD-13
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 通道数量
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
P-Channel 60 V 52 mOhm 3.2 W Surface Mount Power Mosfet - WDFN-8ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 Weeks表面贴装8-PowerWDFNYES8SILICON6A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR9952MOhmTin (Sn)DUALFLAT8S-PDSO-F5Single增强型MOSFET21WDRAIN14 nsP-Channel52m Ω @ 7A, 10V3V @ 250μA无卤素1258pF @ 25V25nC @ 10V68ns60V±20V36 ns6A20V6A-60V45 mJ无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO-18 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-8SILICON2-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2013e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99-Matte Tin (Sn)-鸥翼--Dual增强型MOSFET1.3W-6.6 ns2 N-Channel (Dual)40m Ω @ 4.5A, 10V3V @ 250μA-1287pF @ 25V22.4nC @ 10V8.1ns60V-4 ns5A20V5A60V--ROHS3 Compliant无铅表面贴装73.992255mgHIGH RELIABILITY1.7W26040AEC-Q1012SWITCHING0.04OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm4.95mm3.95mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO | 对比 |
 | DMN6040SVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 | 对比 |
 | ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) | 对比 |
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