NVTFS5124PLTAG备选型号: CPH3351-TL-H

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    MOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    2.4A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    P-Channel
    260m Ω @ 3A, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    250pF @ 25V
    6nC @ 10V
    14ns
    60V
    ±20V
    10 ns
    2.4A
    20V
    6A
    24A
    60V
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET SWITCHING DEVICE
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    1.8A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    e6
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    鸥翼
    260
    not_compliant
    未说明
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    5.1 ns
    P-Channel
    250m Ω @ 1A, 10V
    -
    无卤素
    262pF @ 20V
    6nC @ 10V
    5.4ns
    -
    -
    19 ns
    1.8A
    20V
    -
    -
    -
    900μm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1W
    0.25Ohm
    60V
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