NVTJD4001NT2G备选型号: DMN63D8LDW-7
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)272mW6272mW2 N-Channel (Dual)1.5 Ω @ 10mA, 4V1.5V @ 100μA33pF @ 5V1.3nC @ 5V30V250mAStandardROHS3 Compliant无铅------------------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363-15 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)-300mW--2 N-Channel (Dual)2.8 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA22pF @ 25V870nC @ 10V30V220mA逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅Tin6.010099mgSILICON26EAR99HIGH RELIABILITY鸥翼26040DMN63D8LAEC-Q101Dual增强型MOSFET300mW3.3 nsSWITCHING3.2ns6.3 ns1.5V20V4.5Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
![]() | DMN33D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A | 对比 |



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