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首页 全部分类 NX3DV221TKX vs NLAS3158MNR2G

NX3DV221TKX备选型号: NLAS3158MNR2G

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  • 底架
  • 引脚数
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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
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  • 功能数量
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  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 输出的数量
  • 工作电源电压
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入数量
  • 无卤素
  • 电源类型
  • 断态隔离-标称
  • 最大漏电流（IS（off））
  • 通道电容（CS和CD：开关在断开时的源极和漏极电容）
  • 通态电阻匹配标称
  • 开关电路
  • 开关时间（Ton, Toff）（最大）
  • 电荷注入
  • 通道间匹配度 (ΔRon)
  • 开关量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    NX3DV221TKX
    NXP USA Inc.
    NX3DV221 - High-speed USB 2.0 switch with enable
    7 Weeks
    表面贴装
    10-VFDFN Exposed Pad
    Industrial grade
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    USB
    NX3DV221
    10
    1
    1GHz
    7Ohm
    2:1
    2.3V~3.6V
    Bi-Directional
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NLAS3158MNR2G
    ON Semiconductor
    IC SWITCH DUAL SPDT 12DFN
    7 Weeks
    表面贴装
    12-WFDFN
    12.5 ns
    -55°C~125°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    NLAS3158
    12
    1
    250MHz
    13Ohm
    2:1
    1.65V~5.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    12
    e4
    yes
    12
    13Ohm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    180mW
    DUAL
    260
    2
    2.3V
    0.5mm
    40
    4
    5V
    5.5V
    1.65V
    1μA
    1μA
    180mW
    23 ns
    2
    无卤素
    Single
    55 dB
    100nA
    2.3pF
    0.5Ohm
    单刀双掷
    5.2ns, 3.5ns
    7pC
    150m Ω
    BREAK-BEFORE-MAKE
    850μm
    3mm
    1mm
    无
    无铅
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NLAS4684MNR2G NLAS4684MNR2G ON Semiconductor 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 10-VFDFN Exposed Pad IC SWITCH DUAL SPDT 10DFN 对比