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首页 全部分类 ONET8501TYS vs NB2305AI1DR2G

ONET8501TYS备选型号: NB2305AI1DR2G

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  • 频率
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  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 最大电源电流
  • 无卤素
  • 输入
  • 比率-输入：输出
  • 锁相环
  • 差分 - 输入：输出
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    ONET8501TYS
    Texas Instruments
    Transimpedance Amplifiers 11.3 Gbps Limiting Transimp Amp DIE
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    0
    -40°C~100°C
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    19
    UPPER
    1
    3.3V
    ONET8501
    19
    3.3V
    1
    28mA
    7kOhm
    44mA
    11.3 Gbps
    Transimpedance
    240mV
    2.97V~3.63V
    10 GHz
    支持回路
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NB2305AI1DR2G
    ON Semiconductor
    Phase Locked Loops - PLL 3.3V Five Output Zero Delay Buffer
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    DUAL
    1
    3.3V
    NB2305A
    8
    3.3V
    1
    -
    -
    50mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    Industrial grade
    2002
    e3
    yes
    零延迟缓冲器
    3V~3.6V
    鸥翼
    260
    133MHz
    40
    5
    3.6V
    3V
    50mA
    无卤素
    CMOS
    1:5
    有
    No/No
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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