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首页 全部分类 ONET8521TY vs ISL55210IRTZ-T7

ONET8521TY备选型号: ISL55210IRTZ-T7

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  • 带宽
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 端子间距
  • 温度等级
  • 通道数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 压摆率
  • 共模拒绝率
  • 输入偏正电流
  • 每个通道的输出电流
  • 电源类型
  • 输入失调电压(Vos)
  • 增益带宽积
  • 统一增益 BW-（标准值）
  • 电源抑制比
  • -3db 带宽
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    ONET8521TY
    Texas Instruments
    Transimpedance Amplifiers 9GHZ,2.4KO TRANS- IMPEDANCE AMP DIE
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    0
    -40°C~100°C
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    18
    SONET
    90mW
    UPPER
    无铅
    未说明
    1
    3.3V
    未说明
    ONET8521
    18
    不合格
    Differential
    3.3V
    1
    27mA
    2.4kOhm
    11.3 Gbps
    Transimpedance
    2.97V~3.63V
    9 GHz
    ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Intersil (Renesas Electronics America)
    ISL55210IRTZ-T7
    Intersil (Renesas Electronics America)
    IC OPAMP DIFF 4GHZ 16TQFN
    -
    5 Weeks
    表面贴装
    -
    -
    16
    -
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    16
    -
    -
    QUAD
    -
    260
    1
    3.3V
    -
    -
    16
    -
    -
    3.3V
    -
    35mA
    -
    -
    OPERATIONAL AMPLIFIER
    -
    2.2 GHz
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    2011
    e3
    EAR99
    85°C
    -40°C
    0.5mm
    INDUSTRIAL
    1
    4.2V
    3V
    5600 V/μs
    75 dB
    50μA
    45mA
    Single
    1.4mV
    4MHz
    4000000 kHz
    90dB
    2.2 GHz
    730μm
    3mm
    3mm
    无
  • 添加型号
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