ONET8531TYS备选型号: ONET4201PARGTT
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 应用
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出类型
- 工作电源电压
- 电路数量
- 工作电源电流
- 阻抗
- 电源电流
- 功率耗散
- 数据率
- 放大器类型
- 最大输入电压
- 电压 - 电源,单/双路(±)
- 带宽
- 通信IC类型
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 最小输入电压
- 增益
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- Transimpedance Amplifiers DIE PKGACTIVE (Last Updated: 1 day ago)35 Weeks表面贴装表面贴装Die0-40°C~100°CBulk活跃1 (Unlimited)19SONET100mWUPPER13.3VONET853119Differential3.3V128mA4.5kOhm44mA100mW11.3 GbpsTransimpedance240mV2.97V~3.63V10 GHzATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT无ROHS3 Compliant无铅--------------
- IC OPAMP LIMITING 1 CIRC 16QFNACTIVE (Last Updated: 1 week ago)6 Weeks-表面贴装16-VFQFN Exposed Pad16-40°C~85°CTape & Reel (TR)活跃2 (1 Year)16SONET;SDH-QUAD13.3VONET420116Differential3.3V135mA-45mA89mW-Limiting1.2V3V~3.6V-ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT无ROHS3 Compliant无铅YES22.906415mg5e4yes50MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)2605mV50 dB1mm3mm3mm900μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AD8351ACPZ-R7 | Analog Devices Inc. | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 16-WFQFN Exposed Pad, CSP | RF Amp Chip Single GP 2200MHz 5.5V 16-Pin LFCSP T/R | 对比 |
![]() | ONET8541TY | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | Die | AMP, TRANSIMP, 11.3GBPS, RSSI, TO46 - More Details | 对比 |
![]() | ONET4201PARGTR | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 16-VFQFN Exposed Pad | IC OPAMP LIMITING 25KHZ 16QFN | 对比 |






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