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PD55003L-E备选型号: NIF9N05CLT3

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  • 栅源电压
  • 电压-测试
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  • 场效应管类型
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    PD55003L-E
    STMicroelectronics
    TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    5
    SMD/SMT
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    12V
    14W
    QUAD
    260
    2.5A
    500MHz
    30
    PD55003
    5
    S-PQCC-N5
    Single
    增强型MOSFET
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    15V
    19dB
    3W
    40V
    34pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5 V
    12.5V
    880μm
    5mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NIF9N05CLT3
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
    OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
    -
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    2.6A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    4
    -
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    -
    逻辑电平兼容
    52V
    -
    DUAL
    240
    2.6A
    -
    30
    -
    4
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    2.6A
    15V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2007
    no
    鸥翼
    not_compliant
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    1.69W
    N-Channel
    125m Ω @ 2.6A, 10V
    2.5V @ 100μA
    250pF @ 35V
    7nC @ 4.5V
    290ns
    ±15V
    290 ns
    0.125Ohm
    52V
    10A
    110 mJ
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