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PD55003TR-E备选型号: PD55003S-E

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  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 电压 - 额定直流
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD55003TR-E
    STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
    25 Weeks
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    表面贴装
    4
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    DUAL
    鸥翼
    250
    2.5A
    500MHz
    30
    PD55003
    10
    R-PDSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    17dB
    3W
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    12.5V
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD55003S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    25 Weeks
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    表面贴装
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    DUAL
    FLAT
    -
    2.5A
    500MHz
    -
    PD55003
    10
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    17dB
    3W
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    12.5V
    ROHS3 Compliant
    无
    40V
    无铅
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PD55003-E PD55003-E STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 对比