PD55008S-E备选型号: FDS4897C
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 安装类型
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 电阻
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- FET RF 40V 500MHZ PWRSO1025 Weeks表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°CHIGH RELIABILITY40V52.8WDUALFLAT2504A500MHz30PD5500810R-PDSO-F2Single增强型MOSFET52.8WSOURCE150mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS4A20V17dB8W4A40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR12.5V无ROHS3 Compliant无铅-----------------------
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC12 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)86.2A 4.4ATape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)8EAR99-----900mWDUAL鸥翼--------增强型MOSFET2W--SWITCHING-N-CHANNEL AND P-CHANNEL-4.4A20V---40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Tin表面贴装187mgSILICON-55°C~150°C TJPowerTrench®2005yes29MOhmN and P-Channel29m Ω @ 6.2A, 10V3V @ 250μA760pF @ 20V20nC @ 10V15ns18 ns1.9V逻辑电平门1.5mm5mm4mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS4897AC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | 对比 | |
![]() | PD55008TR-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | 对比 |
![]() | PD55008-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | 对比 |





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