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首页 全部分类 PD57060-E vs FDD5810-F085

PD57060-E备选型号: FDD5810-F085

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  • 晶体管类型
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    PD57060-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    79W
    DUAL
    鸥翼
    250
    not_compliant
    7A
    945MHz
    未说明
    PD57060
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    7A
    20V
    14.3dB
    60W
    7A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    65V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5810-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    29 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    7.4A Ta 37A Tc
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    7.7A
    20V
    -
    -
    7.4A
    60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    260.37mg
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    yes
    12 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    TO-252AA
    0.022Ohm
    45 mJ
    无
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