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PD84008-E备选型号: PD84006-E

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  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • STMicroelectronics
    PD84008-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 870MHZ
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    4
    1
    Tube
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    79W
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    7A
    870MHz
    未说明
    PD84008
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    SOURCE
    250mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    7A
    15V
    16.2dB
    8W
    7A
    25V
    2W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD84006-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    59W
    DUAL
    鸥翼
    250
    5A
    870MHz
    未说明
    PD84006
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    59W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    15dB
    6W
    5A
    25V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    52 Weeks
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    not_compliant
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PD84008L-E PD84008L-E STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 8-PowerVDFN FET RF 25V 870MHZ 对比