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首页 全部分类 PD85035STR-E vs IRF7470TRPBF

PD85035STR-E备选型号: IRF7470TRPBF

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  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
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  • 系列
  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    PD85035STR-E
    STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    95W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    8A
    870MHz
    未说明
    PD85035
    10
    R-PDSO-F2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    95W
    SOURCE
    350mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    8A
    15V
    17dB
    40W
    8A
    40V
    15W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7470TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
    12 Weeks
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    10A Ta
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    -
    30
    -
    -
    R-PDSO-G8
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    SWITCHING
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    YES
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2003
    e3
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    13m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    3430pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    ±12V
    MS-012AA
    0.013Ohm
    85A
    40V
    300 mJ
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