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首页 全部分类 PD85050S vs DMN2020UFCL-7

PD85050S备选型号: DMN2020UFCL-7

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD85050S
    STMicroelectronics
    RF MOSFET Transistors 50W 13.6V 870MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    10
    50V
    Tube
    活跃
    3 (168 Hours)
    EAR99
    1μA
    105W
    未说明
    870MHz
    未说明
    PD85050
    Single
    500mA
    LDMOS
    8A
    10V
    12dB
    110pF
    55W
    13.6V
    3.6mm
    15.65mm
    9.6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2020UFCL-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
    23 Weeks
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    9A Ta
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    DMN2020
    Single
    -
    -
    9A
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    2013
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.788nF
    1
    3.8 ns
    N-Channel
    14m Ω @ 9A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    1788pF @ 10V
    21.5nC @ 4.5V
    5.7ns
    ±10V
    6.8 ns
    20V
    无铅
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